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分立半导体
IRL6342TRPBF参考图片

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IRL6342TRPBF

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET MOSFT 30V 9.9A 14.6mOhm 2.5V cpbl
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数量单价合计
1
¥4.5313
4.5313
10
¥3.8194
38.194
100
¥2.3278
232.78
1,000
¥1.7967
1796.7
4,000
¥1.5368
6147.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
9.9 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.1 V
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
11 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
38 S
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
33 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
SP001572774
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,IRL6342TRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
分立半导体模块 1600volt 320amp
1:¥1,357.6837
5:¥1,325.0267
10:¥1,292.1437
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分立半导体
分立半导体模块 600 Volt 100 Amp 2115 Amp IFSM
1:¥306.4334
5:¥298.2183
10:¥286.6923
25:¥265.098
参考库存:53173
分立半导体
整流器 15A 600V Ultrafast 40ns
1:¥12.2944
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.6783
800:¥5.2658
参考库存:53178
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.14 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
1:¥27.5833
10:¥23.4362
100:¥20.2835
250:¥19.2891
500:¥17.289
参考库存:6821
分立半导体
IGBT 晶体管 Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
1:¥52.9405
10:¥47.8668
25:¥45.6407
100:¥39.6517
参考库存:6823
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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