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RM8N650HD-T

  • Rectron
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  • MOSFET D2-PAK MOSFET
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数量单价合计
1,600
¥5.7856
9256.96
2,400
¥4.9607
11905.68
4,800
¥4.5313
21750.24
9,600
¥4.1358
39703.68
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
8 A
Rds On-漏源导通电阻
540 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
80 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
5.5 S
下降时间
6.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3.5 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
5.5 ns
商品其它信息
优势价格，RM8N650HD-T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZY55B2V7 RYG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 2v7
30,000:¥0.2147
45,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:43445
BZY55B3V9 RYG
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 Zener 500mW 2% 3v9
30,000:¥0.2147
45,000:¥0.20001
100,000:¥0.17628
参考库存:43450
TSZL52C36 RW
Taiwan Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 36 Volt 200mW 5%
20,000:¥0.34578
24,000:¥0.32996
48,000:¥0.30736
100,000:¥0.26894
参考库存:43455
HS3JB R4
Taiwan Semiconductor
分立半导体
整流器 3A,600V, GP HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER
6,000:¥0.89948
9,000:¥0.85315
参考库存:43460
MBRT60060R
GeneSiC Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 600A 60P42RV
25:¥839.7821
50:¥821.1936
100:¥809.2834
参考库存:43465

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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