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分立半导体
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RM100N60T2

  • Rectron
  • 新批次
  • MOSFET TO-251 MOSFET
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库存：36,261(价格仅供参考)
数量单价合计
1,600
¥3.8533
6165.28
3,200
¥3.3109
10594.88
5,600
¥3.0171
16895.76
10,400
¥2.7572
28674.88
25,600
¥2.712
69427.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Rectron
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Rectron
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.8 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
16.8 ns
商品其它信息
优势价格，RM100N60T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NSR15405NXT5G
ON Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 1.5A 40V DSN2 0502 SCHO
1:¥3.6838
10:¥2.8702
100:¥1.5481
1,000:¥1.1639
5,000:¥1.00683
10,000:¥0.9379
参考库存:20947
IPD60R360P7ATMA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5597
500:¥6.6896
1,000:¥5.2771
2,500:¥5.2771
参考库存:109179
IPA80R600P7XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET
1:¥12.4526
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4128
1,000:¥6.1359
参考库存:5986
IDH20G65C6XKSA1
Infineon Technologies
分立半导体
肖特基二极管与整流器 SIC DIODES
1:¥61.698
10:¥55.7881
25:¥53.1778
100:¥46.1831
参考库存:28348
RBR1LAM60ATR
ROHM Semiconductor
分立半导体
肖特基二极管与整流器 60V Vr 1A Io Schottky Br Diode
1:¥3.0736
10:¥2.2939
100:¥1.243
1,000:¥0.9379
3,000:¥0.80682
参考库存:29940

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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