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分立半导体
CGHV35150F参考图片

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CGHV35150F

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
12 A
输出功率
170 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440193
封装
Tube
应用
-
配置
Single
高度
-
长度
-
工作频率
3.1 GHz to 3.5 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
-
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
闸/源截止电压
-
-
开发套件
CGHV35150-TB
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
上升时间
-
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGHV35150F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 FRED Pt - TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥10.7576
10:¥8.9157
100:¥6.7913
500:¥5.8421
800:¥4.6104
参考库存:29968
分立半导体
肖特基二极管与整流器 8.0 A 30 V SCHOTTKY DIOD
1:¥5.6839
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
5,000:¥2.0566
参考库存:29973
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1244
1,000:¥1.6385
3,000:¥1.4012
参考库存:20183
分立半导体
MOSFET 20V 2.0A 3.1W 215mohm @ 4.5V
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
2,500:¥1.6159
5,000:查看
参考库存:29980
分立半导体
整流器 400 Volt 8.0 Amp 125 Amp IFSM
1:¥7.91
10:¥6.5201
100:¥5.0059
500:¥4.3053
1,000:¥3.7742
参考库存:29985
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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