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分立半导体
CGH60060D-GP4参考图片

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CGH60060D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制：
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
13 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
6 A
输出功率
60 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
高度
100 um
长度
2.86 mm
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
通道数量
4 Channel
类
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格，CGH60060D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-42CTQ030S-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky - D2PAK-e3
1:¥16.9839
10:¥14.1363
100:¥10.9158
500:¥9.605
1,000:¥7.91
参考库存:4777
VS-30CTQ045-M3
Vishay Semiconductors
分立半导体
肖特基二极管与整流器 45V 2 x 15A IF C.A. TO-220AB
1:¥13.2888
10:¥10.9158
100:¥8.3733
500:¥7.1981
1,000:¥5.6839
参考库存:9674
BSB280N15NZ3 G
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET N-Ch 150V 30A CanPAK3 MZ OptiMOS 3
1:¥17.7523
10:¥15.0629
100:¥12.0684
500:¥10.5316
5,000:¥7.8422
10,000:查看
参考库存:29621
STB100N10F7
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
1:¥17.2099
10:¥14.5996
100:¥11.6842
500:¥10.2152
1,000:¥8.4524
参考库存:6398
BZX84B20VLFHT116
ROHM Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 19.6-20.4V 5mA SOT-23; SOT-23
1:¥1.695
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.26103
参考库存:19155

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    50万现货SKU

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