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分立半导体
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FQA19N60

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库存:6,578(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.6569
30.6569
10
¥26.0465
260.465
100
¥22.5887
2258.87
250
¥21.4361
5359.025
500
¥19.21
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
18.5 A
Rds On-漏源导通电阻
380 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA19N60
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
16 S
下降时间
135 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
210 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
150 ns
典型接通延迟时间
65 ns
零件号别名
FQA19N60_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FQA19N60的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN 1A 100V
1:¥2.9945
10:¥2.5425
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
2,000:¥1.02152
10,000:¥1.01474
参考库存:23430
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15A 60V 75W PNP
1:¥7.3789
10:¥6.2828
100:¥4.8138
500:¥4.2601
参考库存:8522
分立半导体
JFET JFET N-Channel -40V 50mA 300mW 2mW
1:¥18.5998
10:¥14.9838
100:¥11.9893
500:¥10.5316
参考库存:6354
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -65V -100mA HFE/220
1:¥1.7628
10:¥1.1639
100:¥0.48364
1,000:¥0.32996
2,000:¥0.26103
参考库存:76206
分立半导体
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.5369
10:¥2.9945
100:¥1.8193
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:34158
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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