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分立半导体
TK55S10N1,LQ参考图片

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TK55S10N1,LQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET UMOSVIII 100V 6.5m max(VGS=10V) DPAK
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库存：17,822(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥16.7466
167.466
100
¥13.447
1344.7
500
¥11.752
5876
2,000
¥9.0626
18125.2
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
55 A
Rds On-漏源导通电阻
5.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
49 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
100 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK55S10N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
51 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，TK55S10N1,LQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV1N5822
Microsemi
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Schottky
1:¥687.6389
5:¥666.1237
10:¥644.6085
25:¥614.5618
参考库存:43033
1N4099UR-1
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Voltage Regulator
1:¥43.2564
10:¥34.804
100:¥31.7304
250:¥28.589
参考库存:11271
RJH60F7ADPK-00#T0
Renesas Electronics
分立半导体
IGBT 晶体管 GBT-P-TRS-TO3P/FM
暂无价格
参考库存:43040
UES1105
Microsemi
分立半导体
整流器 Ultra Fast Rectifier (less than 100ns)
1:¥198.5523
5:¥189.6366
10:¥183.7267
25:¥168.822
参考库存:43045
AUIRLR3636
Infineon Technologies
分立半导体
MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.30
500:¥9.831
参考库存:43050

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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