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分立半导体
FQP50N06L参考图片

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FQP50N06L

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库存:9,902(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.3678
11.3678
10
¥9.6841
96.841
100
¥7.7631
776.31
500
¥6.8026
3401.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
52 A
Rds On-漏源导通电阻
21 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
121 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FQP50N06L
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
40 S
下降时间
145 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
380 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
80 ns
典型接通延迟时间
20 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FQP50N06L的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥0.20001
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3,000:¥0.18419
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10:¥1.05994
100:¥0.37629
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10,000:¥0.1695
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100:¥1.8984
500:¥1.5255
10,000:¥0.92208
参考库存:31778
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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