RN1115MFV(TPL3)详细信息_RN1115MFV(TPL3)相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.22
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1115MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	6 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
SF46GHR0G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 4A, 400V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER	1:¥5.537 10:¥4.6104 100:¥3.4804 500:¥2.5538 1,250:¥1.9097	参考库存:50975
GBL08HD2	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	桥式整流器 4A, 800V, G.P. IN LINE BRIDGE	1:¥8.3733 10:¥7.684 100:¥5.9212 500:¥4.3844	参考库存:50980
RB060M-60DDTR	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 PNP Driver Transistor	1:¥4.0002 10:¥3.0397 100:¥1.6498 1,000:¥1.2317 3,000:¥1.06785	参考库存:50985
HER602GHR0	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 6A,100V, G.P. HIGH EFFICIENT RECTIFIER	1:¥6.6105 10:¥6.0681 100:¥4.6782 500:¥3.4691 1,000:¥2.5651 2,000:¥2.5086	参考库存:50990
MBRS15150CT RN	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 15 Amp 150 Volt Dual	1:¥10.2152 10:¥9.0626 25:¥8.2264 100:¥7.1416 800:¥5.537	参考库存:50995