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分立半导体
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2N5151U3

  • Microsemi
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
否
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
U-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5.5 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
最大直流电集电极电流
2 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
90
封装
Tray
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
30
Pd-功率耗散
1.16 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1
子类别
Transistors
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK50E08K3,S1X(S
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100:¥24.6679
290:¥24.6679
500:¥22.1254
1,000:¥18.6676
2,500:¥17.7523
参考库存:52726

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