RN1117MFV(TPL3)详细信息_RN1117MFV(TPL3)相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	2.13
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1117MFV
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	50 V
发射极 - 基极电压 VEBO	15 V
高度	1.2 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.5 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
S2DA F3G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1.5A, 200V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER	1:¥4.6895 10:¥4.2262 100:¥2.7685 1,000:¥0.92999 1,800:¥0.7684	参考库存:31908
1N4759A R0G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 1W, 62V, 5% ZENER DIODE	1:¥4.3844 10:¥3.1527 100:¥1.8419 1,000:¥0.77631 5,000:¥0.67574	参考库存:31913
HT16G R0G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1A,600V, GP HIGH EFFICIENT RECTIFIER	1:¥4.8364 10:¥4.4522 100:¥2.8928 1,000:¥0.96841 5,000:¥0.79891	参考库存:31918
US1AHR3G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 1A,50V, ULTRAFAST SMD RECTIFIER	1:¥4.9946 10:¥4.5313 100:¥2.9606 1,000:¥0.99101 1,800:¥0.81473	参考库存:31923
SF44G R0G	Taiwan Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	整流器 4A, 200V, 35NS, SUPER FAST RECTIFIER	1:¥4.6895 10:¥4.0002 100:¥2.9606 500:¥2.1696 1,250:¥1.6385 2,500:¥1.5029	参考库存:31928