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分立半导体
TK46A08N1,S4X参考图片

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TK46A08N1,S4X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET NCh 6.9ohm VGS10V10uAVDS80V
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
46 A
Rds On-漏源导通电阻
6.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
37 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
15 mm
长度
10 mm
系列
TK46A08N1
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,TK46A08N1,S4X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.5369
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
1,500:¥0.90626
4,500:查看
参考库存:32845
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Automotive low drop power Schottky rectifier
1:¥3.842
10:¥2.4408
100:¥1.04525
1,000:¥0.80682
参考库存:212642
分立半导体
MOSFET CONSUMER
1:¥6.6105
10:¥5.5031
100:¥3.5482
1,000:¥2.8476
3,000:¥2.3956
参考库存:17654
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V Vr 0.5A Io SBD SOT-346 0.5A
1:¥2.9154
10:¥2.2148
100:¥1.1978
1,000:¥0.89948
3,000:¥0.77631
参考库存:16041
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V Vr; 0.2A IO SOD-523; EMD2
1:¥2.9154
10:¥2.0792
100:¥0.95259
1,000:¥0.73789
2,500:¥0.62263
8,000:¥0.56839
参考库存:64243
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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