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分立半导体
2N3700/TR参考图片

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2N3700/TR

  • Microsemi
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
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数量单价合计
100
¥39.4935
3949.35
180
¥39.4935
7108.83
200
¥36.273
7254.6
500
¥33.0412
16520.6
1,000
¥28.815
28815
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-18-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
80 V
集电极—基极电压 VCBO
140 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.5 V
最大直流电集电极电流
1 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
直流电流增益 hFE 最大值
300 at 500 mA, 10 V
封装
Reel
商标
Microchip / Microsemi
直流集电极/Base Gain hfe Min
15 at 1 A, 10 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2N3700/TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET 800V N-Channel QFET
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.1473
500:¥7.2207
1,000:¥5.7065
参考库存:6695
分立半导体
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A
1:¥14.5996
10:¥12.3735
100:¥9.9101
500:¥8.6784
参考库存:3197
分立半导体
肖特基二极管与整流器 Diode Schottky 30V 0.5A
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
3,000:¥0.48364
9,000:¥0.44522
参考库存:59629
分立半导体
整流器 5.0 Amp 600 Volt
1:¥7.91
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
参考库存:9571
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20 Amp 200 Volt Dual 110 Amp IFSM
1:¥12.1362
10:¥10.0683
100:¥7.8422
500:¥6.8252
800:¥5.65
参考库存:3343
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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