IDW30G120C5BFKSA1详细信息_IDW30G120C5BFKSA1相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	肖特基二极管与整流器
RoHS	是
产品	Schottky Silicon Carbide Diodes
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-247-3
If - 正向电流	30 A
Vrrm - 重复反向电压	1.2 kV
Vf - 正向电压	1.4 V
Ifsm - 正向浪涌电流	240 A
配置	Dual Anode, Common Cathode
技术	SiC
Ir - 反向电流	17 uA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 175 C
封装	Tube
商标	Infineon Technologies
Pd-功率耗散	332 W
产品类型	Schottky Diodes & Rectifiers
工厂包装数量	240
子类别	Diodes & Rectifiers
商标名	CoolSiC
Vr - 反向电压	1.2 kV
零件号别名	IDW30G120C5B SP001123716
单位重量	38 g

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
TDZVTR11	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 500mW 9.9-12.1V SOD-323HE	1:¥3.4578 10:¥2.3956 100:¥1.10627 1,000:¥0.84524 3,000:¥0.72207	参考库存:19804
IFCM20U65GDXKMA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	IGBT 模块 IFPS MODULES	1:¥113.339 10:¥104.2764 25:¥99.892 100:¥88.0609	参考库存:6311
NVMFS5C460NLAFT1G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET T6 40V NCH LL IN SO8FL	1:¥5.8421 10:¥4.8364 100:¥3.1527 1,000:¥2.5312 1,500:¥2.5312	参考库存:19628
SQA401EJ-T1_GE3	Vishay / Siliconix	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET -20V PowerPAK SC-70 AEC-Q101 Qualified	1:¥4.068 10:¥3.1527 100:¥2.3391 500:¥1.921 3,000:¥1.356 6,000:查看	参考库存:19935
RBR2LAM60BTR	ROHM Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 60V Vr 2A Io Schottky Br Diode	1:¥3.1527 10:¥2.5651 100:¥1.5707 1,000:¥1.2091 3,000:¥1.03734	参考库存:98112