BSS169H6327XTSA1详细信息_BSS169H6327XTSA1相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	PG-SOT-23-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Id-连续漏极电流	90 mA
Rds On-漏源导通电阻	6 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	2.9 V
Vgs - 栅极-源极电压	10 V
Qg-栅极电荷	2.1 nC
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	360 mW
配置	Single
通道模式	Depletion
资格	AEC-Q101
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1.1 mm
长度	2.9 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS169
晶体管类型	1 N-Channel
类型	SIPMOS Small Signal Transistor
宽度	1.3 mm
商标	Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值	0.1 S
下降时间	27 ns
产品类型	MOSFET
上升时间	2.7 ns
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	11 ns
典型接通延迟时间	2.9 ns
零件号别名	BSS169 BSS169H6327XT H6327 SP000702572
单位重量	8 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
VS-16CDH02-M3/I	Vishay Semiconductors	分立半导体	PDF数据手册	整流器 Dual 2x8A 200V FRED Pt	1:¥8.9157 10:¥7.3111 100:¥5.6048 500:¥4.8251 1,000:¥3.8081 2,000:¥3.8081	参考库存:12232
LSIC2SD120E30CC	Littelfuse	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 1200V 30A TO-247-3L SiC Schottky Diode	1:¥161.364 5:¥155.2959 10:¥149.2278 25:¥137.1594	参考库存:5319
IPZ40N04S58R4ATMA1	Infineon Technologies	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET N-CHANNEL_30/40V	1:¥7.2998 10:¥6.3506 100:¥4.9381 1,000:¥2.9493 5,000:¥2.3956	参考库存:30181
MBRAF1540T3G	ON Semiconductor	分立半导体	PDF数据手册	肖特基二极管与整流器 1.5 A 40 V SCHOTTKY	1:¥3.2318 10:¥2.2713 100:¥1.04525 1,000:¥0.80682 5,000:¥0.68365	参考库存:95873
FDMD8900	ON Semiconductor / Fairchild	分立半导体	PDF数据手册	MOSFET PT8 30/12V Dual Nch Power Trench MOSFET	1:¥14.6787 10:¥12.5204 100:¥9.9892 500:¥8.7575 3,000:¥6.7687 6,000:查看	参考库存:13955