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分立半导体
IPD90P03P4L-04参考图片

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IPD90P03P4L-04

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET P-Ch -30V -90A DPAK-2 OptiMOS-P2
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数量单价合计
1
¥12.5204
12.5204
10
¥10.5994
105.994
100
¥8.5315
853.15
500
¥7.4693
3734.65
2,500
¥5.763
14407.5
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
90 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
125 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
137 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
OptiMOS-P2
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
40 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
140 ns
典型接通延迟时间
17 ns
零件号别名
IPD90P03P4L04ATMA1 IPD9P3P4L4XT SP000396300
单位重量
400 mg
商品其它信息
优势价格，IPD90P03P4L-04的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BZT52C3V0-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 3 Volt 0.41W 5%
1:¥2.4634
10:¥1.6159
100:¥0.791
500:¥0.67574
10,000:¥0.29945
20,000:查看
参考库存:26538
DMP1012UFDF-7
Diodes Incorporated
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥3.2996
10:¥2.7459
100:¥1.6724
1,000:¥1.2995
3,000:¥1.10627
参考库存:26543
BZX585-B5V6,135
Nexperia
分立半导体
稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT
1:¥3.2996
10:¥2.1696
100:¥0.9379
1,000:¥0.71416
10,000:¥0.48364
20,000:查看
参考库存:52127
BZX384B47-G3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 47 Volt 0.2W 2%
1:¥2.6103
10:¥1.7628
100:¥0.86106
500:¥0.73789
10,000:¥0.32318
20,000:查看
参考库存:26550
AZ23B5V1-E3-18
Vishay Semiconductors
分立半导体
稳压二极管 5.1 Volt 0.3W 2% CA
1:¥2.9154
10:¥1.6724
100:¥0.89157
500:¥0.71416
10,000:¥0.36838
20,000:查看
参考库存:26555

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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