T2G6000528-Q3详细信息_T2G6000528-Q3相关参数PDF

分立半导体

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Qorvo
产品种类	射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS	是
晶体管类型	HEMT
技术	GaN SiC
增益	15 dB
晶体管极性	N-Channel
Vds-漏源极击穿电压	-
Vgs-栅源极击穿电压	-
Id-连续漏极电流	650 mA
输出功率	10 W
最大漏极/栅极电压	-
最小工作温度	-
最大工作温度	-
Pd-功率耗散	12.5 W
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
应用	Military Radar, Professional and Military Radio Communications
配置	Single
工作频率	DC to 6 GHz
系列	T2G
商标	Qorvo
正向跨导 - 最小值	-
开发套件	T2G6000528-Q3-EVB1, T2G6000528-Q3-EVB3, T2G6000528-Q3-EVB5
湿度敏感性	Yes
产品类型	RF JFET Transistors
工厂包装数量	100
子类别	Transistors
零件号别名	1099997

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
JANTXV1N979C-1	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Voltage Regulator	264:¥54.6355 500:¥49.7878 1,000:¥43.4146	参考库存:39462
1N3322RA	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Voltage Regulator	100:¥255.4139 250:¥238.43	参考库存:39467
1N5953D G	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode	100:¥68.6136 300:¥62.6246 500:¥57.1667 1,000:¥48.4092	参考库存:39472
RL206-B	Rectron	分立半导体	PDF数据手册	整流器 2A 1.0Vf 800V	6,500:¥0.43844 10,000:¥0.37629	参考库存:39477
1N5735D	Microsemi	分立半导体	PDF数据手册	稳压二极管 Voltage Regulator	202:¥39.0302 250:¥35.1882 500:¥31.4253 1,000:¥26.5098	参考库存:39482