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分立半导体
CSD17308Q3参考图片

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CSD17308Q3

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30V NCh NexFET Pwr MOSFET
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库存:229,033(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.2263
6.2263
10
¥5.2206
52.206
100
¥3.3448
334.48
1,000
¥2.6781
2678.1
2,500
¥2.4408
6102
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
10.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
900 mV
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
3.9 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
28 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
3.3 mm
系列
CSD17308Q3
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
3.3 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
BQ500211AEVM-210
下降时间
2.3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.9 ns
典型接通延迟时间
4.5 ns
单位重量
41 mg
商品其它信息
优势价格,CSD17308Q3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1.5A,800V, GP HIGH EFFICIENT SMA RECTIFIER
1:¥5.6839
10:¥5.2206
100:¥3.4013
1,000:¥1.1413
1,800:¥0.9379
参考库存:51467
分立半导体
整流器 10A, 800V, G.P. DUAL RECTIFIER
1:¥7.2998
10:¥6.6896
100:¥5.1867
500:¥3.842
800:¥2.8476
2,400:¥2.7798
参考库存:51472
分立半导体
桥式整流器 25A, 1000V, G.P., SQ.BRIDGE RECTIFIER, FASTON
1:¥27.5833
10:¥23.6622
100:¥18.5207
200:¥16.5997
参考库存:51477
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,200V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER HIGH TEMP
1:¥12.0684
10:¥10.6785
25:¥9.6841
100:¥8.4524
800:¥5.1641
2,400:查看
参考库存:51482
分立半导体
肖特基二极管与整流器 20A,45V,DUAL SCHOTTKY RECTIFIER
1:¥8.5315
10:¥7.6049
25:¥6.8591
100:¥6.0116
800:¥3.6838
2,400:查看
参考库存:51487
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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