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分立半导体
RJH65T46DPQ-A0#T0参考图片

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RJH65T46DPQ-A0#T0

  • Renesas Electronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT - 650V/40A/TO-247A
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库存:1,728(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥47.799
47.799
10
¥42.6462
426.462
25
¥38.42
960.5
50
¥36.725
1836.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Renesas Electronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
封装 / 箱体
TO-247A-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
340.9 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
80 A
商标
Renesas Electronics
栅极—射极漏泄电流
+/- 1 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,RJH65T46DPQ-A0#T0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V PNP
1:¥2.0001
10:¥1.356
100:¥0.56839
1,000:¥0.3842
8,000:¥0.26103
24,000:查看
参考库存:283389
分立半导体
MOSFET MOSFT PCh -20V -2.6A 135mOhm -2.5V cpbl
1:¥3.616
10:¥2.5651
100:¥1.1865
1,000:¥0.90626
3,000:¥0.77631
参考库存:113066
分立半导体
SCR TAPE13 THY-GP
1:¥6.4523
10:¥5.1528
100:¥3.3222
1,000:¥2.6555
2,500:¥2.2487
参考库存:20833
分立半导体
MOSFET MOSFT 200V 5A 600mOhm 15nC
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
参考库存:50015
分立半导体
稳压二极管 16 Volt 0.8 Watt 5%
1:¥4.4522
10:¥3.0397
100:¥2.0566
500:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.2317
参考库存:108707
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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