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TSM4925DCS

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET Dual 30V P channel MOSFET
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5,000
¥3.6386
18193
10,000
¥3.5482
35482
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7.1 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
类型
P-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
70 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
110 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
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    50万现货SKU

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