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APTGT75DU120TG

  • Microsemi
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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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数量单价合计
100
¥531.7328
53173.28
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格，APTGT75DU120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTX1N5520CUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥254.0353
200:¥233.1303
参考库存:41313
JAN1N4120DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥188.032
200:¥172.5058
500:¥164.2116
参考库存:41318
JANTXV1N963DUR-1/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥242.046
200:¥222.1467
参考库存:41323
CDLL4584A/TR
Microsemi
分立半导体
稳压二极管
100:¥176.1896
200:¥161.6691
500:¥153.906
参考库存:41328
1N5928AP/TR8
Microsemi
分立半导体
稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1,500:¥10.2152
4,500:¥9.831
9,000:¥9.4468
参考库存:41333

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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