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分立半导体

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APTGT75DU120TG

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  • IGBT 模块 Power Module - IGBT
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库存:32,637(价格仅供参考)
数量单价合计
100
¥531.7328
53173.28
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
350 W
封装 / 箱体
SP4
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
单位重量
110 g
商品其它信息
优势价格,APTGT75DU120TG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
二极管 - 通用,功率,开关 Fast Recvry 600V Vr TO-263S 20A Io
1:¥9.6841
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.5935
1,000:¥4.4183
参考库存:5118
分立半导体
IGBT 模块
1:¥1,968.1775
5:¥1,920.8418
10:¥1,873.1332
25:¥1,846.9285
参考库存:2335
分立半导体
肖特基二极管与整流器 40V Vr 0.1A Io SBD SOD-723 0.1A
1:¥2.8476
10:¥1.8306
100:¥0.78422
1,000:¥0.60681
8,000:¥0.4068
24,000:查看
参考库存:29207
分立半导体
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥6.6557
500:¥5.7178
1,000:¥4.52
3,000:¥4.52
参考库存:44069
分立半导体
MOSFET HIGH POWER_NEW
1:¥33.3463
10:¥28.3517
100:¥24.5888
250:¥23.278
3,000:¥16.7466
参考库存:4551
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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