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分立半导体
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PTFB090901EA-V2-R250

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥329.3385
82334.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
123 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
90 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-36265-2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
1 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB090901EA-V2-R250的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N2368
Central Semiconductor
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Fast SW SS
1:¥15.594
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.7632
参考库存:14556
1N5230B-B
Rectron
分立半导体
稳压二极管 0.5W 4.7V 5%
1:¥1.2317
10:¥1.02943
100:¥0.36838
1,000:¥0.24634
参考库存:52663
CMHZ5252B TR
Central Semiconductor
分立半导体
稳压二极管 500mW Zener Diode 5.2mA 22.8V to 25.2V
1:¥2.7685
10:¥1.9888
100:¥1.1413
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
参考库存:19190
STW25NM60ND
STMicroelectronics
分立半导体
MOSFET N-channel 600V, 21A FDMesh II
1:¥63.3139
10:¥57.2458
25:¥54.5564
100:¥47.3357
参考库存:10717
TK9P65W,RQ
Toshiba
分立半导体
MOSFET Power MOSFET N-Channel
1:¥15.4471
10:¥12.4526
100:¥11.2209
500:¥8.6784
2,000:¥6.7122
4,000:查看
参考库存:14719

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    50万现货SKU

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