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分立半导体
SIHG24N65E-E3参考图片

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SIHG24N65E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:28,536(价格仅供参考)
数量单价合计
500
¥28.0466
14023.3
1,000
¥23.6622
23662.2
2,500
¥22.4418
56104.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
145 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
81 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
系列
E
宽度
5.31 mm
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
69 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
84 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
24 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG24N65E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
稳压二极管 Uni-direc 40W Pppm SMA (DO-214AC)
1:¥3.616
10:¥2.4182
100:¥1.6385
500:¥1.3108
6,000:¥0.85315
12,000:查看
参考库存:25946
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
参考库存:25951
分立半导体
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
3,000:¥2.6103
参考库存:16311
分立半导体
整流器 fred 200V 2A - SMA
7,500:¥0.89948
15,000:¥0.83733
参考库存:25958
分立半导体
肖特基二极管与整流器 10A,40V,TO-263AB AEC-Q101 Qualified
1:¥10.1474
10:¥8.3733
100:¥6.4523
500:¥5.5596
800:¥4.3844
参考库存:25963
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    4小时快速发货

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