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分立半导体
DMNH4015SSDQ-13参考图片

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DMNH4015SSDQ-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2.5K
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数量单价合计
2,500
¥3.1075
7768.75
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
8.6 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
33 nC, 33 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Reel
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
5.7 ns, 5.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.5 ns, 10.5 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12.3 ns, 12.3 ns
典型接通延迟时间
4.4 ns, 4.4 ns
商品其它信息
优势价格,DMNH4015SSDQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥1.695
10:¥1.10627
100:¥0.46104
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.24634
参考库存:320227
分立半导体
稳压二极管 12 Volt 0.5W 5%
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.54579
500:¥0.45313
10,000:¥0.20001
20,000:查看
参考库存:20059
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP General Purpose Amplification Transistor
1:¥1.2317
10:¥1.09158
100:¥0.3842
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:44816
分立半导体
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 40V
1:¥2.9945
10:¥2.034
100:¥0.85315
1,000:¥0.5763
3,000:¥0.45313
参考库存:69573
分立半导体
整流器 600 Volt 35 Amp
1:¥66.6248
10:¥60.0143
50:¥54.6355
100:¥49.3358
参考库存:1120
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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