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分立半导体
IPD090N03L G参考图片

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IPD090N03L G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 40A DPAK-2 OptiMOS 3
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数量单价合计
2,500
¥1.7289
4322.25
10,000
¥1.6724
16724
25,000
¥1.5933
39832.5
50,000
¥1.5707
78535
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
2.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
4 ns
零件号别名
IPD090N03LGBTMA1 IPD9N3LGXT SP000236950
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,IPD090N03L G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
整流器 1A,200V,50NS AEC-Q101 Qualified
10,000:¥0.95259
25,000:¥0.87575
参考库存:31550
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1,500:¥5.0059
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6,000:¥1.4012
12,000:¥1.3108
24,000:¥1.243
参考库存:31565
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整流器 1A,50V,50NS AEC-Q101 Qualified
6,500:¥1.5594
13,000:¥1.4577
19,500:¥1.3786
参考库存:31570
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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