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分立半导体
DDTA115GUA-7-F参考图片

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DDTA115GUA-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 预偏置 200MW 100K
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库存:160,133(价格仅供参考)
数量单价合计
3,000
¥0.27685
830.55
9,000
¥0.23843
2145.87
24,000
¥0.22261
5342.64
45,000
¥0.20792
9356.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 预偏置
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
典型输入电阻器
100 kOhms
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-323-3
直流集电极/Base Gain hfe Min
82
集电极—发射极最大电压 VCEO
50 V
集电极连续电流
100 mA
峰值直流集电极电流
100 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
DDTA115
封装
Reel
直流电流增益 hFE 最大值
82
高度
1 mm
长度
2.2 mm
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
5 mg
商品其它信息
优势价格,DDTA115GUA-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
分立半导体
MOSFET N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
1:¥28.6568
10:¥24.3628
100:¥21.131
250:¥19.9784
参考库存:3957
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - Diode
1:¥1,136.3054
5:¥1,108.2588
10:¥1,081.6021
25:¥1,042.3346
参考库存:27580
分立半导体
分立半导体模块 Power Module - SiC
1:¥1,059.2394
5:¥1,023.5879
10:¥990.0043
25:¥955.3472
参考库存:27585
分立半导体
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF8VP13350N/FM4F///REEL 13
50:¥1,067.4658
参考库存:27590
分立半导体
MOSFET N-Channel 150-V D-S
2,500:¥11.752
参考库存:27595
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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