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分立半导体
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A3T21H450W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T21H450W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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1
¥1,035.3399
1035.3399
5
¥1,014.9773
5074.8865
10
¥967.6416
9676.416
25
¥947.3581
23683.9525
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.6 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 65 V
增益
15.4 dB
输出功率
87 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Reel
工作频率
2110 MHz to 2200 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
零件号别名
935352756128
单位重量
6.033 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CDLL961B
Microsemi
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稳压二极管 Zener Voltage Regulator Diode
1:¥32.657
10:¥26.2838
100:¥23.8995
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BR254
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1:¥27.5833
25:¥19.8993
100:¥16.0573
250:¥13.673
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STPS3L60QRL
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1:¥3.9211
10:¥3.2205
100:¥1.9662
1,000:¥1.5255
6,000:¥1.2091
24,000:查看
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BC 847CW H6327
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1:¥1.6159
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1,000:¥0.32318
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APT40GL120JU2
Microsemi
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1:¥276.3189
5:¥265.5613
10:¥255.5721
25:¥234.8253
参考库存:4522

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