70V659S12BCI详细信息_70V659S12BCI相关参数PDF

静态随机存取存储器

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	静态随机存取存储器
RoHS	否
存储容量	4 Mbit
组织	128 k x 36
访问时间	12 ns
接口类型	Parallel
电源电压-最大	3.45 V
电源电压-最小	3.15 V
电源电流—最大值	515 mA
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 85 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	CABGA-256
封装	Tray
高度	1.4 mm
长度	17 mm
存储类型	SDR
系列	70V659
类型	Asynchronous
宽度	17 mm
商标	IDT
湿度敏感性	Yes
产品类型	SRAM
工厂包装数量	6
子类别	Memory & Data Storage
零件号别名	70V659 IDT70V659S12BCI

商品其它信息

优势价格，70V659S12BCI的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
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GS8321E18AD-200IV	GSI Technology	静态随机存取存储器	PDF数据手册	静态随机存取存储器 1.8/2.5V 2M x 18 36M	18:¥372.3689 36:¥345.78	参考库存:56306
IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR	ISSI	静态随机存取存储器	PDF数据手册	静态随机存取存储器 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp	2,500:¥46.1831	参考库存:56311
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