70V659S12BF详细信息_70V659S12BF相关参数PDF

静态随机存取存储器

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	IDT (Integrated Device Technology)
产品种类	静态随机存取存储器
RoHS	否
存储容量	4 Mbit
组织	128 k x 36
访问时间	12 ns
接口类型	Parallel
电源电压-最大	3.45 V
电源电压-最小	3.15 V
电源电流—最大值	465 mA
最小工作温度	0 C
最大工作温度	+ 70 C
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	CABGA-208
封装	Tray
高度	1.4 mm
长度	15 mm
存储类型	SDR
系列	70V659
类型	Asynchronous
宽度	15 mm
商标	IDT
湿度敏感性	Yes
产品类型	SRAM
工厂包装数量	7
子类别	Memory & Data Storage
零件号别名	70V659 IDT70V659S12BF

商品其它信息

优势价格，70V659S12BF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CY7C10612GN30-10ZSXIT	Cypress Semiconductor	静态随机存取存储器	PDF数据手册	静态随机存取存储器 ASYNC 静态随机存取存储器S	1,000:¥751.1901	参考库存:57629
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GS81302S18GE-375	GSI Technology	静态随机存取存储器	PDF数据手册	静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 8M x 18 144M	10:¥1,241.2711 30:¥1,152.60	参考库存:57644
GS8182T18BD-400I	GSI Technology	静态随机存取存储器	PDF数据手册	静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M	18:¥338.096 36:¥313.9705	参考库存:57649