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NAND闪存
TH58BYG3S0HBAI6参考图片

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TH58BYG3S0HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥64.5456
64.5456
10
¥59.3928
593.928
25
¥58.1724
1454.31
50
¥58.0142
2900.71
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
FBGA-67
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
338
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58BYG3S0HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
W25N01GVSFIG TR
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V
1,000:¥13.9103
2,000:¥12.4526
4,000:¥11.8311
6,000:¥11.4469
8,000:¥11.30
参考库存:33748
W29N01HVDINA TR
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 1G-bit NAND flash, 3V, 1-bit ECC, 3V, x8
2,500:¥14.2154
3,500:¥14.2154
参考库存:33753
S34ML01G100TFI003
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 1Gb 3V 25ns NAND闪存
1:¥39.1884
10:¥35.7306
25:¥35.3464
50:¥34.8831
1,000:¥28.8941
参考库存:9513
W25N01GVZEIR
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V
1:¥18.6676
10:¥16.8257
25:¥16.5997
50:¥16.5206
参考库存:33760
W25N01GVZEIG TR
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V
1:¥21.9785
25:¥21.357
100:¥19.1309
250:¥18.4416
4,000:¥14.4414
参考库存:41480

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    50万现货SKU

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