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NAND闪存
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TH58BYG3S0HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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1
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64.5456
10
¥59.3928
593.928
25
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1454.31
50
¥58.0142
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
FBGA-67
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
338
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58BYG3S0HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F
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960:¥58.7826
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210:¥85.5975
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1,050:¥66.9299
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MT29F8G08ADADAH4-IT:D
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1:¥114.4916
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25:¥23.278
50:¥23.1311
参考库存:3362
S34ML02G200BHV003
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
2,300:¥37.4934
参考库存:32464

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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