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NAND闪存
TH58NYG2S3HBAI4参考图片

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TH58NYG2S3HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥41.0303
41.0303
10
¥37.4256
374.256
25
¥36.725
918.125
50
¥36.499
1824.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格,TH58NYG2S3HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NAND闪存
NAND闪存 SLC 4G 256MX16 FBGA
2,000:¥76.4558
参考库存:34650
NAND闪存
NAND闪存 1G-bit NAND flash, 1.8V, 1-bit ECC x8
1:¥23.8995
10:¥21.5152
25:¥21.2101
50:¥21.131
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NAND闪存 Nand
1,000:¥47.9459
参考库存:34660
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1:¥44.0248
10:¥40.1828
25:¥39.7308
50:¥39.1884
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NAND闪存 SLC 4G 512MX8 TSOP
1:¥46.104
10:¥42.1038
25:¥41.3354
50:¥41.0303
1,000:¥32.883
参考库存:6040
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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