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NAND闪存

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TC58BYG0S3HBAI6

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 1Gb 24nm I-Temp SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥21.2892
21.2892
10
¥19.1309
191.309
25
¥18.8258
470.645
50
¥18.7467
937.335
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VFBGA-67
存储容量
1 Gbit
接口类型
Parallel
组织
128 M x 8
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
338
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TC58BYG0S3HBAI6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S34MS08G201BHA003
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NAND闪存
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2,300:¥88.8293
参考库存:31974
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F
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10:¥42.1038
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50:¥41.0303
1,000:¥32.883
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S34MS01G200GHI000
Cypress Semiconductor
NAND闪存
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1:¥25.5832
10:¥22.8938
25:¥20.5886
100:¥18.7467
参考库存:2564
MT29F4G08ABBDAHC-IT:D
Micron
NAND闪存
NAND闪存 SLC 4G 512MX8 FBGA
1:¥46.104
10:¥42.1038
25:¥41.3354
50:¥41.0303
参考库存:31991

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