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NAND闪存
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TH58NVG3S0HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 3.3V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥66.0824
66.0824
10
¥60.8618
608.618
25
¥59.551
1488.775
50
¥59.325
2966.25
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
FBGA-63
存储容量
8 Gbit
接口类型
Parallel
组织
1 G x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
2.7 V
电源电压-最大
3.6 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
商标
Toshiba Memory
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TH58NVG3S0HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
S34ML08G201BHI003
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1:¥125.091
10:¥113.7232
25:¥105.1917
50:¥96.6602
2,300:¥75.6083
参考库存:33736
MT29F1T08EEHBFJ4-R:B
Micron
NAND闪存
NAND闪存 TLC 1T 128GX8 VBGA DDP
1,120:¥356.3116
参考库存:33741
S34MS01G200TFI000
Cypress Semiconductor
NAND闪存
NAND闪存 Nand
1:¥49.6409
10:¥44.409
25:¥39.9568
100:¥36.4199
参考库存:3501
W25N01GVSFIG TR
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 1G-bit Serial NAND flash, 3V
1,000:¥13.9103
2,000:¥12.4526
4,000:¥11.8311
6,000:¥11.4469
8,000:¥11.30
参考库存:33748
W29N01HVDINA TR
Winbond
NAND闪存
NAND闪存 1G-bit NAND flash, 3V, 1-bit ECC, 3V, x8
2,500:¥14.2154
3,500:¥14.2154
参考库存:33753

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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