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NAND闪存
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TC58NYG2S0HBAI4

  • Toshiba Memory
  • 新批次
  • NAND闪存 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
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数量单价合计
1
¥36.1148
36.1148
10
¥32.7361
327.361
25
¥32.0468
801.17
50
¥31.8095
1590.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
NAND闪存
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TFBGA-63
存储容量
4 Gbit
接口类型
Parallel
组织
512 M x 8
定时类型
Synchronous
数据总线宽度
8 bit
电源电压-最小
1.7 V
电源电压-最大
1.95 V
电源电流—最大值
30 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
封装
Tray
存储类型
NAND
产品
NAND Flash
速度
25 ns
结构
Block Erase
商标
Toshiba Memory
最大时钟频率
-
湿度敏感性
Yes
产品类型
NAND Flash
工厂包装数量
210
子类别
Memory & Data Storage
商品其它信息
优势价格，TC58NYG2S0HBAI4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MT29F8G08ABBCAH4-IT:C TR
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1:¥95.2816
10:¥88.9084
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参考库存:10500
MT29F4G16ABAFAH4-AITES:F TR
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2,000:¥46.4882
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W25N512GVBIG
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480:¥14.6787
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参考库存:33567
TC58BVG0S3HBAI4
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1:¥23.4362
10:¥21.2892
50:¥20.6677
100:¥18.5998
参考库存:4192
S34MS08G201BHB000
Cypress Semiconductor
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NAND闪存 Nand
210:¥94.2081
420:¥85.8348
630:¥80.2978
1,050:¥73.6873
参考库存:33574

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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