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射频晶体管

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BFR 380L3 E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.2487
22.487
100
¥1.03734
103.734
1,000
¥0.79891
798.91
15,000
¥0.5763
8644.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
系列
BFR380L3
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
90
集电极—发射极最大电压 VCEO
6 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
80 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSLP
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
15 V
直流电流增益 hFE 最大值
90 at 40 mA at 3 V
高度
0.45 mm
长度
1 mm
工作频率
14 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
0.6 mm
商标
Infineon Technologies
最大直流电集电极电流
0.08 A
Pd-功率耗散
380 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
15000
子类别
Transistors
零件号别名
BFR380L3E6327XTMA1 BFR38L3E6327XT SP000013562
单位重量
0.540 mg
商品其它信息
优势价格,BFR 380L3 E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Bipolar/LDMOS Transistor
1:¥1,628.0136
2:¥1,588.8252
5:¥1,565.615
10:¥1,543.4105
参考库存:37973
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T20H160W04N/FM4F///REEL 13 Q2 DP
1:¥658.903
5:¥646.0662
10:¥624.7883
25:¥598.3576
250:¥536.5014
参考库存:37978
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.1527
10:¥2.0792
100:¥0.89157
1,000:¥0.68365
3,000:¥0.52206
参考库存:68242
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥329.3385
参考库存:37985
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥597.1259
参考库存:37990
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    50万现货SKU

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