您好！欢迎来到维基芯城 登录 注册

产品分类

首 页 商品目录 品牌专区 BOM配单 品牌入驻 自营现货
射频晶体管
A3G35H100-04SR3参考图片

图片仅供参考， 请参阅产品规格

  • 分享到：
  • 0

A3G35H100-04SR3

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3G35H100-04S/CFM4F///REEL 13 Q2 NDP
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式，3分钟内即可给您回复
  • 公司名：
  • *联系人：
  • *电话：
  • *邮箱：
   微信：      QQ：
库存：40,096(价格仅供参考)
数量单价合计
250
¥381.2846
95321.15
询价数量：
加入询价单立即询价
相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
8.04 mA
Vds-漏源极击穿电压
125 V
增益
14 dB
输出功率
14 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-780S-4L
封装
Reel
工作频率
3400 MHz to 3600 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.3 V
零件号别名
935368927128
商品其它信息
优势价格，A3G35H100-04SR3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF6VP121KHR5
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1KW 50V NI1230H
50:¥4,403.7004
参考库存:35688
MAPRST1214-150UF
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 150W Gain: 7.4dB
20:¥2,480.3952
参考库存:35693
ARF466AG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥372.7531
2:¥362.6057
5:¥352.5374
10:¥342.4804
参考库存:2247
BFP 405F H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥2.9945
10:¥2.5199
100:¥1.5368
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.01474
参考库存:17629
PD55003-E
STMicroelectronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
1:¥96.5133
10:¥88.7502
25:¥85.0664
100:¥74.919
250:¥71.2352
参考库存:3286

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

深圳市维基鸿电子有限公司

电话：13148740189

手机：13590238352

传真：0755-82563613

Email: 1076822082@QQ.COM

Q Q:

地址：赛格科技园2栋1008


微信联系我们

深圳市维基鸿电子有限公司版权所有©2018-2024 粤ICP备2022041120号

24小时在线客服
热线电话

0755-82563613

微信联系我们 微信扫码联系我们