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射频晶体管
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MD7IC2012NR1

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
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数量单价合计
1
¥300.4444
300.4444
5
¥285.2346
1426.173
10
¥280.3869
2803.869
25
¥254.1144
6352.86
500
¥216.7679
108383.95
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
技术
Si
Id-连续漏极电流
70 mA
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
31.5 dB
输出功率
1.3 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-270-WB-14
封装
Cut Tape
封装
Reel
配置
Single
工作频率
2110 MHz to 2170 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
湿度敏感性
Yes
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
零件号别名
935314984528
单位重量
1.652 g
商品其它信息
优势价格，MD7IC2012NR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFU520WX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥3.3787
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.1526
参考库存:54822
A3T19H455W23SR6
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T19H455W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥855.6134
参考库存:39210
MRF10031
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥890.1914
参考库存:5799
AFT26H250-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Pwr LDMOS Trx, 2.49-.69GHz
150:¥851.6923
参考库存:39217
ARF460BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥322.4229
2:¥313.6654
5:¥304.9757
10:¥296.2182
参考库存:5866

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