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射频晶体管
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PTFB091802FC-V1-R0

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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库存:37,679(价格仅供参考)
数量单价合计
50
¥524.7381
26236.905
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
150 mOhms
增益
19.5 dB
输出功率
180 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37248-4
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格,PTFB091802FC-V1-R0的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRF24300-1STG
1:¥7,538.23
5:¥7,457.2429
10:¥7,377.1033
参考库存:37623
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AIRFAST 1.8-2.0GHZ C
150:¥1,151.7525
参考库存:37628
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥865.8286
10:¥836.9458
25:¥808.1308
50:¥779.2367
100:¥747.7323
参考库存:37633
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 700W
1:¥6,372.7254
50:¥6,372.7254
参考库存:4372
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 6W Gain: 8.75dB
11:¥1,543.6365
25:¥1,488.0066
参考库存:37640
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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