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射频晶体管
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MRF166C

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
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¥255.7981
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
13.5 dB
输出功率
20 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
319-07
封装
Tray
配置
Single
工作频率
500 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
70 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
30
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF166C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MCH4015-TL-H
ON Semiconductor
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 HIGH FREQUENCY AMPLIFIER
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:154438
QPD1019
Qorvo
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
18:¥4,072.52
参考库存:39251
SD1143-01
Advanced Semiconductor, Inc.
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥751.111
10:¥689.2548
25:¥618.562
50:¥547.8692
参考库存:39256
BFU590QX
NXP Semiconductors
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
1:¥6.9156
10:¥5.763
100:¥3.7177
1,000:¥2.9719
2,000:¥2.5086
参考库存:17370
MICROFC-SMA-10010-GEVB
ON Semiconductor
射频晶体管
光学传感器开发工具 C-SERIES 1MM 10U SMA
1:¥1,392.725
参考库存:5782

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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