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射频晶体管
2SK4037(TE12L,Q)参考图片

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2SK4037(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 3A 20W 12V VDSS
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数量单价合计
1
¥36.5781
36.5781
10
¥29.4252
294.252
100
¥26.8149
2681.49
250
¥24.2046
6051.15
1,000
¥18.2834
18283.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
12 V
增益
11.5 dB
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
470 MHz
系列
2SK4037
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
3 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
商品其它信息
优势价格，2SK4037(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MMRF1011HR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF1011H/CFM2F///REEL 13
50:¥3,427.4482
参考库存:39328
MRFE6VP61K25GSR5
NXP / Freescale
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 1.25KW ISM NI1230GS
1:¥1,350.0788
5:¥1,319.953
10:¥1,292.9121
25:¥1,273.849
50:¥1,227.5981
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100:¥132.7072
300:¥124.0175
500:¥115.9493
参考库存:39338
EVB1240
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暂无价格
参考库存:39343
MS1226
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射频(RF)双极晶体管 Comm/Bipolar Transistor
1:¥538.8744
5:¥522.512
10:¥507.144
25:¥475.4136
参考库存:39348

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