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射频晶体管
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TGF2929-FS

  • Qorvo
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN
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1
¥2,697.084
2697.084
25
¥2,434.133
60853.325
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Qorvo
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
GaN SiC
Id-连续漏极电流
12 A
Vds-漏源极击穿电压
28 V
增益
14 dB
输出功率
107 W
封装
Tray
工作频率
3.5 GHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Qorvo
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
144 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
25
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
145 V
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.9 V
零件号别名
1123716
商品其它信息
优势价格，TGF2929-FS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PH2226-110M
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥2,251.7962
2:¥2,214.2237
5:¥2,177.8716
10:¥2,142.7625
25:¥2,065.5383
参考库存:1645
BFP 540 H6327
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
3,000:¥1.4577
参考库存:35907
BFP193E6327HTSA1
Infineon Technologies
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.6838
10:¥2.6103
100:¥1.1978
1,000:¥0.92208
3,000:¥0.78422
参考库存:32669
MDS800
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥4,819.8681
5:¥4,529.4129
参考库存:1651
ARF448BG
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥346.9326
5:¥328.1859
10:¥324.423
25:¥299.9811
参考库存:1748

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