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射频晶体管
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PTFB093608FV-V3-R2

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
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数量单价合计
250
¥1,159.2105
289802.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Rds On-漏源导通电阻
50 mOhms
增益
19 dB
输出功率
360 W
最大工作温度
+ 225 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
H-37275G-6/2
封装
Reel
工作频率
920 MHz to 960 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
Wolfspeed / Cree
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
商品其它信息
优势价格，PTFB093608FV-V3-R2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF141MP
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥744.8847
2:¥721.7536
5:¥721.5276
10:¥698.3174
参考库存:3738
MRF171A
MACOM
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB
1:¥250.0351
10:¥242.7353
参考库存:4570
MMBF5484
ON Semiconductor / Fairchild
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 NCh RF Transistor
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:182397
PH1090-350L
MACOM
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管
1:¥3,306.1201
参考库存:37205
AFT18H356-24SR6
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AF HIP NI1230-4L2L
150:¥1,174.2734
参考库存:37210

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    50万现货SKU

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