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射频晶体管
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MRF3866

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库存:2,828(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥34.578
34.578
10
¥28.815
288.15
25
¥25.8996
647.49
50
¥23.052
1152.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3.5 V
集电极连续电流
400 mA
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOIC-8
工作频率
200 MHz
类型
RF Bipolar Small Signal
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,MRF3866的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 1W-28V-2GHz SE
100:¥280.692
260:¥279.5394
参考库存:38051
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 20GHz NF .70dB Ga 11.9dB -55C +125C
1:¥12.6786
10:¥9.9892
100:¥7.9891
500:¥6.3958
参考库存:6005
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 11dB 57% PAE@12GHz
100:¥112.1864
300:¥104.8866
500:¥97.971
1,000:¥91.5978
参考库存:38058
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥732.3643
2:¥709.6174
5:¥709.3914
10:¥686.5654
参考库存:4562
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 5-175MHz 300Watts 50Volt Gain 14dB
1:¥861.0713
10:¥807.2833
25:¥788.3784
50:¥769.5526
参考库存:8874
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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