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射频晶体管
A3T23H300W23SR6参考图片

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A3T23H300W23SR6

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A3T23H300W23S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
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数量单价合计
1
¥737.664
737.664
5
¥724.1379
3620.6895
10
¥691.56
6915.6
25
¥668.508
16712.7
100
¥622.4831
62248.31
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3.2 A
Vds-漏源极击穿电压
- 5 V, 65 V
增益
15.6 dB
输出功率
63 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ACP-1230S-4L2S
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
2300 MHz to 2400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
通道数量
2 Channel
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
零件号别名
935374249128
商品其它信息
优势价格,A3T23H300W23SR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 716-960 MHz 41 W Avg. 28 V
1:¥798.6727
5:¥783.1578
10:¥757.3373
25:¥725.2905
250:¥650.2924
参考库存:37033
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥507.144
10:¥422.62
25:¥380.358
50:¥338.096
参考库存:37038
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 921-960MHz 70Watt Gain @ P1dB 18.25dB
1:¥522.512
5:¥479.4816
10:¥430.304
25:¥381.1264
参考库存:37043
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.4238
1,000:¥1.07576
15,000:¥0.791
参考库存:78532
CEL
射频晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 12GHz NF .42dB Ga 12.2dB -55C +125C
1:¥9.1417
10:¥6.9721
100:¥5.0737
500:¥4.3053
参考库存:4459
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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