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射频晶体管
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MRF422

  • MACOM
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 2-30MHz 150Watts 28Volt Gain 10dB
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10
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
15
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
3 V
集电极连续电流
20 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
211-11
封装
Tray
工作频率
30 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
MACOM
最大直流电集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
290 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
20
子类别
Transistors
商品其它信息
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推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VRF151
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥423.0833
2:¥411.5573
5:¥400.1782
10:¥388.7313
参考库存:4421
D2022UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 25W-28V-500MHz PP
50:¥827.1035
100:¥804.2888
参考库存:37794
ARF1510
Microchip / Microsemi
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,529.1951
2:¥1,492.391
5:¥1,470.5594
10:¥1,449.7448
参考库存:4323
MMRF1004GNR1
NXP / Freescale
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MOSFET 1600-2200 MHz 10 W 28 V
1:¥229.7516
5:¥219.6042
10:¥211.9202
25:¥184.9584
500:¥159.5221
参考库存:37801
D2012UK
Semelab / TT Electronics
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 10W-28V-1GHz SE
1:¥579.2945
10:¥511.5284
25:¥453.9662
50:¥406.5627
参考库存:37806

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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