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射频晶体管
BFU725F/N1,115参考图片

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BFU725F/N1,115

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频(RF)双极晶体管 2.8V 0.04A 4-Pin Trans GP BJT NPN
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库存:23,011(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.7685
27.685
100
¥1.5029
150.29
1,000
¥1.13
1130
3,000
¥0.97632
2928.96
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
40
集电极—发射极最大电压 VCEO
2.8 V
发射极 - 基极电压 VEBO
0.55 V
集电极连续电流
40 mA
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-343
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
10 V
直流电流增益 hFE 最大值
160 at 10 mA at 2 V
高度
1 mm
长度
2.2 mm
工作频率
55 GHz
类型
RF Bipolar Small Signal
宽度
1.35 mm
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
55000 MHz
最大直流电集电极电流
0.04 A
Pd-功率耗散
136 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934063513115
单位重量
6.670 mg
商品其它信息
优势价格,BFU725F/N1,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Silicon DMOS RF FET 150W-28V-175MHz SE
1:¥905.8645
10:¥796.5257
25:¥708.0015
50:¥635.1617
参考库存:37830
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV10700GS/CFM4///REEL 13
50:¥3,124.4726
参考库存:37835
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 S-Band/GaN Transistor
20:¥1,788.1459
25:¥1,763.6362
50:¥1,642.7601
参考库存:37840
射频晶体管
射频(RF)双极晶体管 1.2-1.4GHz 30W Gain:7.5dB
7:¥2,172.1877
10:¥2,137.1464
25:¥2,060.0804
参考库存:37845
射频晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MMRF2010N/FM14F///REEL 13 Q2 DP
500:¥1,983.0144
参考库存:37850
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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