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晶体管
IPW60R190E6FKSA1参考图片

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IPW60R190E6FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6
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数量单价合计
1
¥25.7414
25.7414
10
¥21.8994
218.994
100
¥18.984
1898.4
250
¥17.9783
4494.575
500
¥16.1364
8068.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
90 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPW60R190E6 IPW6R19E6XK SP000797384
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IPW60R190E6FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
RXH125N03TB1
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