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晶体管
BSC252N10NSF G参考图片

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BSC252N10NSF G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
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库存：79,834(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.2942
8.2942
10
¥7.0851
70.851
100
¥5.4466
544.66
500
¥4.8138
2406.9
1,000
¥3.7968
3796.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
19.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
18 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
11 ns
零件号别名
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N1NSFGXT SP000379608
商品其它信息
优势价格，BSC252N10NSF G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CWDM305PD TR13
Central Semiconductor
晶体管
MOSFET SMD Small Sig Mosfet Dual P-Ch Enh Mode
5,000:¥1.2317
10,000:¥1.1413
25,000:¥1.08367
50,000:¥1.05994
参考库存:29757
SI7962DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 40V 11.1A 3.5W 17mohm @ 10V
3,000:¥13.1419
6,000:¥12.6786
参考库存:29762
2N6213
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥613.3414
参考库存:29767
APTGT200DA120G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥789.6892
参考库存:29772
BCR 183S H6433
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF DIGITAL TRANSISTOR
20,000:¥0.36838
参考库存:29777

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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