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晶体管
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BD439S

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1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.955
39.55
100
¥2.4182
241.82
1,000
¥1.8645
1864.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-126-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
0.8 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
3 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD439
高度
11 mm
长度
8 mm
封装
Bulk
宽度
3.25 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
零件号别名
BD439S_NL
单位重量
761 mg
商品其它信息
优势价格，BD439S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZTA64 TR
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 . .
4,000:¥1.6046
10,000:¥1.5029
25,000:¥1.4238
50,000:¥1.3786
参考库存:30301
JANSR2N7262U
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥3,359.6708
5:¥3,313.4199
10:¥3,197.4706
25:¥3,081.5891
参考库存:30306
APTGT400U120D4G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
100:¥1,048.4027
参考库存:30311
2N3819
Central Semiconductor
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 N-CH -25V 10mA BULK Engineering Hold
5,000:¥2.4182
10,000:¥2.3278
25,000:¥2.2374
参考库存:30316
SI4632DY-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 25V 36A 7.8W 2.7mohm @ 10V
2,500:¥8.9157
5,000:¥8.5315
10,000:¥8.2264
参考库存:30321

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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