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晶体管
FS75R12KT3G参考图片

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FS75R12KT3G

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数量单价合计
1
¥935.0637
935.0637
5
¥916.6221
4583.1105
10
¥873.8968
8738.968
25
¥855.5343
21388.3575
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
455 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS75R12KT3GBOSA1 SP000100438
单位重量
304.400 g
商品其它信息
优势价格,FS75R12KT3G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms
1:¥16.3624
10:¥13.9103
100:¥11.1418
500:¥9.7632
4,000:¥7.1981
8,000:查看
参考库存:23436
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.46895
24,000:¥0.43844
参考库存:23441
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥91.2814
10:¥82.9872
25:¥76.7609
50:¥72.6138
参考库存:23446
晶体管
MOSFET TRANS MOSFET NCH 500V 11A 3PIN
1:¥23.1311
10:¥19.6733
100:¥17.063
250:¥16.2155
1,000:¥12.2153
2,000:查看
参考库存:23451
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms
1:¥16.2946
10:¥13.8312
100:¥11.0627
500:¥9.6841
3,000:¥7.4693
6,000:查看
参考库存:23456
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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